商品型号: IRFRC20TRLPBF
制造厂商: VISHAY(威世)
封装规格: TO-252-2(DPAK)
商品毛重: 0.53g
商品编号: CY998737
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.4Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,600V,2A,4.4Ω@10V
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封装: 20.2x10x15.5
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2A | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2.5W | |
类型 | N沟道 |
IRFRC20TRLPBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFRC20TRLPBF价格参考¥2.284200。VISHAY(威世)IRFRC20TRLPBF封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.4Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,600V,2A,4.4Ω@10V
手机版:IRFRC20TRLPBF
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