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IRFRC20TRLPBF

商品型号: IRFRC20TRLPBF

制造厂商: VISHAY(威世)

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.53g

商品编号: CY998737

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.4Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,600V,2A,4.4Ω@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 2A
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.4Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,600V,2A,4.4Ω@10V

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IRFRC20TRLPBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFRC20TRLPBF价格参考¥2.284200。VISHAY(威世)IRFRC20TRLPBF封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.4Ω @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,600V,2A,4.4Ω@10V

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