商品型号： GC11N65T
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.80g
商品编号： CY530783
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道 650V 11A 360mΩ@10V
数量
价格
1+
￥8.4443
10+
￥8.3725
30+
￥8.298
100+
￥8.2235
500+
￥8.149
1000+
￥8.0745
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
GC11N65T由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,GC11N65T价格参考￥8.444300。GOFORD(谷峰)GC11N65T封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道 650V 11A 360mΩ@10V
手机版：GC11N65T
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