商品型号： FDP18N20F
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220-3
商品毛重： 2.68g
商品编号： CY204521
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：145mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.1908
10+
￥7.0954
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FDP18N20F由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP18N20F价格参考￥7.190800。ON(安森美)FDP18N20F封装/规格：TO-220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：145mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FDP18N20F
20万现货SKU
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