商品型号： VBM1208N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.69g
商品编号： CY277679
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.1402
10+
￥6.1174
30+
￥6.0946
100+
￥6.0718
500+
￥6.049
1000+
￥6.0245
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W | |
| 类型 | N沟道 |
VBM1208N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM1208N价格参考￥6.140200。VBsemi(台湾微碧)VBM1208N封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W 类型：N沟道
手机版：VBM1208N
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