收藏商品技术手册

CE3512K2

商品型号： CE3512K2

制造厂商： CEL

封装规格： Micro-X

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY207613

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：68mA 漏源电压（Vdss）：4V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：125mW 类型：- RF用途的低噪声FET

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货1816(100起订)

数量: X ￥1.0724

总价: ￥1.07

包装:「袋 / 100」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥1.0724
10+

￥1.0543
30+

￥1.0362
100+

￥1.0181

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	4V
栅源极阈值电压	-
漏源导通电阻	-
类型	-
最大功率耗散（Ta=25°C）	125mW

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：68mA 漏源电压（Vdss）：4V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：125mW 类型：- RF用途的低噪声FET

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供CE3512K2引脚图查看，CE3512K2中文资料pdf下载，CE3512K2使用说明书查看，CE3512K2参数pdf下载, CE3512K2工作原理，CE3512K2驱动电路图，CE3512K2数据手册，CE3512K2如何测量, CE3512K2接线图查看

CE3512K2由CEL设计生产,在芯云购商城现货销售,CE3512K2价格参考￥1.072400。CELCE3512K2封装/规格：Micro-X,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：68mA 漏源电压（Vdss）：4V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：125mW 类型：- RF用途的低噪声FET

手机版：CE3512K2

QQ在线咨询

网页在线咨询

电话咨询

Skype 咨询

CE3512K2

看了又看

选择时请仔细核对商品参数信息

BTA40-600B 双向可控硅 BTA40600B

STM32F103C8T6 32位ST微控制器 CORTEX M3 64K LQFP48

CS45-16io1 单向可控硅 CS45-16IO1R CS45-16

STM32F429IGT6 ARM微控制器MCU处理器 LQFP-176

BTW69-1200RG ST可控硅 BTW691200 BTW69-1200

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本