商品型号： IPP040N06N
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO220-3
商品毛重： 2.77g
商品编号： CY182308
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 90uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 60V 80A
数量
价格
1+
￥3.5802
10+
￥3.4845
30+
￥3.3888
100+
￥3.2931
500+
￥3.1974
1000+
￥3.0987
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
IPP040N06N由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP040N06N价格参考￥3.580200。Infineon(英飞凌)IPP040N06N封装/规格：PG-TO220-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 90uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：188W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 60V 80A
手机版：IPP040N06N
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