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FHF5N65B

商品型号: FHF5N65B

制造厂商: FeiHong(飞虹)

封装规格: TO-220F

商品毛重: 2.50g

商品编号: CY683414

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道

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FHF5N65B由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHF5N65B价格参考¥8.016400。FeiHong(飞虹)FHF5N65B封装/规格:TO-220F,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道

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