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JCS1SN60VC-IPAK

商品型号： JCS1SN60VC-IPAK

制造厂商：吉林华微

封装规格： IPAK

商品毛重： 0.60g

商品编号： CY914490

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道增强型场效应晶体管

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道增强型场效应晶体管

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JCS1SN60VC-IPAK由吉林华微设计生产,在芯云购商城现货销售,JCS1SN60VC-IPAK价格参考￥8.093000。吉林华微JCS1SN60VC-IPAK封装/规格：IPAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道增强型场效应晶体管

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