商品型号： FHU4N60E
制造厂商： FeiHong(飞虹)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.37g
商品编号： CY257111
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,4A,2.1Ω@10V
数量
价格
1+
￥2.009
10+
￥2.0085
30+
￥2.008
100+
￥2.0075
500+
￥2.007
1000+
￥2.0035
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
FHU4N60E由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHU4N60E价格参考￥2.009000。FeiHong(飞虹)FHU4N60E封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,4A,2.1Ω@10V
手机版：FHU4N60E
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