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IRFU4105ZPBF

商品型号： IRFU4105ZPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY266665

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：24.5mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道 N沟道,55V,30A,24.5mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	30A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：24.5mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道 N沟道,55V,30A,24.5mΩ@10V

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IRFU4105ZPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFU4105ZPBF价格参考￥3.057800。Infineon(英飞凌)IRFU4105ZPBF封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：24.5mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W 类型：N沟道 N沟道,55V,30A,24.5mΩ@10V

手机版：IRFU4105ZPBF