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PHD71NQ03LT,118

商品型号： PHD71NQ03LT,118

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT428(DPAK)

商品毛重： 0.37g

商品编号： CY314842

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：10mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-CH 30V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：10mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道 MOSFET N-CH 30V

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手机版：PHD71NQ03LT,118