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IXTQ60N20T

商品型号： IXTQ60N20T

制造厂商： IXYS

封装规格： TO-3P

商品毛重： 7.13g

商品编号： CY820334

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道 N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
栅源极阈值电压	5V @ 250uA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道 N沟道

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IXTQ60N20T由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTQ60N20T价格参考￥6.126600。IXYSIXTQ60N20T封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道 N沟道

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