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PMDXB600UNELZ

商品型号： PMDXB600UNELZ

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： DFN1010B-6

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY130773

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：620mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：380mW 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	600mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	380mW
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：620mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：380mW 类型：双N沟道

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PMDXB600UNELZ由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMDXB600UNELZ价格参考￥2.252000。Nexperia(安世)PMDXB600UNELZ封装/规格：DFN1010B-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：600mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：620mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：380mW 类型：双N沟道

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