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AP040N03G

商品型号: AP040N03G

制造厂商: ALLPOWER(铨力)

封装规格: DFN5*6

商品毛重: 0.12g

商品编号: CY645556

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,30V,80A,3.6mΩ@10V

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,30V,80A,3.6mΩ@10V

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AP040N03G由ALLPOWER(铨力)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP040N03G价格参考¥5.096800。ALLPOWER(铨力)AP040N03G封装/规格:DFN5*6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,30V,80A,3.6mΩ@10V

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