商品型号： LSGE10R035
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-263
商品毛重： 1.60g
商品编号： CY249498
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：181W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.3858
10+
￥5.3233
30+
￥5.2608
100+
￥5.1956
500+
￥5.1304
1000+
￥5.0652
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
LSGE10R035由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSGE10R035价格参考￥5.385800。LONTEN(龙腾半导体)LSGE10R035封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：181W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LSGE10R035
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