商品型号： CSD75207W15
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： DSBGA-9
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY724237
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：- 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：162mΩ @ 1A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：双P沟道 CSD75207W15 双路 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD75207W15
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | - |
CSD75207W15由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD75207W15价格参考￥2.301200。TI(德州仪器)CSD75207W15封装/规格：DSBGA-9,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.9A 漏源电压（Vdss）：- 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：162mΩ @ 1A,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700mW 类型：双P沟道 CSD75207W15 双路 P 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD75207W15
手机版：CSD75207W15
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