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TPW4R50ANH,L1Q

商品型号： TPW4R50ANH,L1Q

制造厂商： TOSHIBA(东芝)

封装规格： DSOP-8

商品毛重： 0.32g

商品编号： CY614706

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：92A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：92A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W(Tc) 类型：N沟道

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TPW4R50ANH,L1Q由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TPW4R50ANH,L1Q价格参考￥5.156000。TOSHIBA(东芝)TPW4R50ANH,L1Q封装/规格：DSOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：92A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W(Tc) 类型：N沟道

手机版：TPW4R50ANH,L1Q