商品型号： CSD87384MT
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： PTAB-5
商品毛重： 0.60g
商品编号： CY213589
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：7.7mΩ @ 25A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：8W 类型：双N沟道 CSD87384M 同步降压 NexFET 电源块，CSD87384M
数量
价格
1+
￥5.1802
10+
￥5.0901
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 8W | |
| 类型 | 双N沟道 |
CSD87384MT由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD87384MT价格参考￥5.180200。TI(德州仪器)CSD87384MT封装/规格：PTAB-5,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：7.7mΩ @ 25A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：8W 类型：双N沟道 CSD87384M 同步降压 NexFET 电源块，CSD87384M
手机版：CSD87384MT
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