商品型号: 4N70KL-MT-TN3-R
制造厂商: 3PEAK
封装规格: TO-252-2(DPAK)
商品毛重: 0.50g
商品编号: CY385399
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):49W 类型:N沟道 N沟道,700V,4.4A
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封装: 20.2x10x15.5
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
类型 | N沟道 |
4N70KL-MT-TN3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,4N70KL-MT-TN3-R价格参考¥7.302400。3PEAK4N70KL-MT-TN3-R封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.4A 漏源电压(Vdss):700V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.2Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):49W 类型:N沟道 N沟道,700V,4.4A
手机版:4N70KL-MT-TN3-R
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