商品型号： IRF2903ZPBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.66g
商品编号： CY402797
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：4V @ 150uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.0016
10+
￥8.0012
30+
￥8.0008
100+
￥8.0004
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
IRF2903ZPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF2903ZPBF价格参考￥8.001600。Infineon(英飞凌)IRF2903ZPBF封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：4V @ 150uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：290W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IRF2903ZPBF
20万现货SKU
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