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DMN1033UCB4-7

商品型号： DMN1033UCB4-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： U-WLB1818-4

商品毛重： 0.16g

商品编号： CY208482

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：700mV @ 1mA 漏源导通电阻：26mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.45W 类型：双N沟道 N沟道,12V,5.5A,50mΩ@1.5V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	-12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	5.5A
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：700mV @ 1mA 漏源导通电阻：26mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.45W 类型：双N沟道 N沟道,12V,5.5A,50mΩ@1.5V

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DMN1033UCB4-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN1033UCB4-7价格参考￥4.121100。DIODES(美台)DMN1033UCB4-7封装/规格：U-WLB1818-4,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.5A 漏源电压（Vdss）：-12V 栅源极阈值电压：700mV @ 1mA 漏源导通电阻：26mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.45W 类型：双N沟道 N沟道,12V,5.5A,50mΩ@1.5V

手机版：DMN1033UCB4-7