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JCS2N60VB-IPAK

商品型号： JCS2N60VB-IPAK

制造厂商：吉林华微

封装规格： IPAK

商品毛重： 0.80g

商品编号： CY930754

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43.6W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 2A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43.6W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 2A

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JCS2N60VB-IPAK由吉林华微设计生产,在芯云购商城现货销售,JCS2N60VB-IPAK价格参考￥3.401200。吉林华微JCS2N60VB-IPAK封装/规格：IPAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43.6W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 2A

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