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NTTFS5820NLTAG

商品型号: NTTFS5820NLTAG

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: WDFN-8

商品毛重: 0.11g

商品编号: CY692613

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 8.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:N沟道 N沟道,60V,37A

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 11A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 8.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:N沟道 N沟道,60V,37A

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NTTFS5820NLTAG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTTFS5820NLTAG价格参考¥5.282400。ON(安森美)NTTFS5820NLTAG封装/规格:WDFN-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 8.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:N沟道 N沟道,60V,37A

手机版:NTTFS5820NLTAG