商品型号: NTTFS5820NLTAG
制造厂商: ON(安森美)
封装规格: WDFN-8
商品毛重: 0.11g
商品编号: CY692613
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 8.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:N沟道 N沟道,60V,37A
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品牌: ST(意法半导体)
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 11A | |
类型 | N沟道 |
NTTFS5820NLTAG由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTTFS5820NLTAG价格参考¥5.282400。ON(安森美)NTTFS5820NLTAG封装/规格:WDFN-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 8.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.7W 类型:N沟道 N沟道,60V,37A
手机版:NTTFS5820NLTAG
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