商品型号： FQU2N60CTU
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-251-3
商品毛重： 0.91g
商品编号： CY537868
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.7Ω @ 950mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.141
10+
￥4.1185
30+
￥4.096
100+
￥4.0735
500+
￥4.051
1000+
￥4.0255
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | N沟道 |
FQU2N60CTU由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQU2N60CTU价格参考￥4.141000。ON(安森美)FQU2N60CTU封装/规格：TO-251-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.9A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.7Ω @ 950mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道
手机版：FQU2N60CTU
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