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PSMN4R8-100BSE

商品型号： PSMN4R8-100BSEJ

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： TO-263-3

商品毛重： 1.67g

商品编号： CY549767

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tj) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：405W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tj) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：405W(Tc) 类型：N沟道

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PSMN4R8-100BSEJ由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN4R8-100BSEJ价格参考￥8.179600。Nexperia(安世)PSMN4R8-100BSEJ封装/规格：TO-263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tj) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 1mA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：405W(Tc) 类型：N沟道

手机版：PSMN4R8-100BSEJ