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NTD3055L104-1G

商品型号： NTD3055L104-1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-251(I-PAK)

商品毛重： 0.81g

商品编号： CY219110

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：104mΩ @ 6A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道 N 沟道,60V,12A,104mΩ@60V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	12A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：104mΩ @ 6A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道 N 沟道,60V,12A,104mΩ@60V

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NTD3055L104-1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTD3055L104-1G价格参考￥7.010800。ON(安森美)NTD3055L104-1G封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：104mΩ @ 6A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道 N 沟道,60V,12A,104mΩ@60V

手机版：NTD3055L104-1G