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N沟道,650V,16A, 0.46Ω@10V

商品型号: SW16N65D

制造厂商: Samwin (芯派)

封装规格: TO-220F

商品毛重: 2.78g

商品编号: CY174986

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:540mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):26.6W(Tc) 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥6.35

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:540mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):26.6W(Tc) 类型:N沟道

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SW16N65D由Samwin (芯派)设计生产,在芯云购商城现货销售,SW16N65D价格参考¥6.349500。Samwin (芯派)SW16N65D封装/规格:TO-220F,连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:540mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):26.6W(Tc) 类型:N沟道

手机版:SW16N65D