商品型号： VN4012L-G
制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)
封装规格： TO-92(TO-92-3)
商品毛重： 0.24g
商品编号： CY945818
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：1.8V @ 1mA 漏源导通电阻：12Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.477
10+
￥9.3995
30+
￥9.3196
100+
￥9.2397
500+
￥9.1598
1000+
￥9.0799
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | |
| 类型 | N沟道 |
VN4012L-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,VN4012L-G价格参考￥9.477000。MICROCHIP(美国微芯)VN4012L-G封装/规格：TO-92(TO-92-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：1.8V @ 1mA 漏源导通电阻：12Ω @ 100mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W(Tc) 类型：N沟道
手机版：VN4012L-G
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