BSZ160N10NS3GATMA1

商品型号： BSZ160N10NS3GATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TSDSON-8

商品毛重： 0.10g

商品编号： CY671764

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 12uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,100V,8A,16mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	8A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 12uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,100V,8A,16mΩ@10V

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BSZ160N10NS3GATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSZ160N10NS3GATMA1价格参考￥1.337400。Infineon(英飞凌)BSZ160N10NS3GATMA1封装/规格：PG-TSDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 12uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W 类型：N沟道 N沟道,100V,8A,16mΩ@10V

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