商品型号： VBP1104N
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-247AC
商品毛重： 8.60g
商品编号： CY570433
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.2004
10+
￥8.1684
30+
￥8.1364
100+
￥8.1044
500+
￥8.0696
1000+
￥8.0348
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 50A | |
| 类型 | N沟道 |
VBP1104N由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBP1104N价格参考￥8.200400。VBsemi(台湾微碧)VBP1104N封装/规格：TO-247AC,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道
手机版：VBP1104N
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监