商品型号： HSBA060N10
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： PRPAK5x6
商品毛重： 0.27g
商品编号： CY628288
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：86A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.0V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：89W 类型：N沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货8280(3000起订)
数 量: X ￥7.1282
总 价: ￥7.13
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
1+
￥7.1282
10+
￥7.1076
30+
￥7.087
100+
￥7.0664
500+
￥7.0458
1000+
￥7.0229
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
HSBA060N10由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBA060N10价格参考￥7.128200。HUASHUO(华朔)HSBA060N10封装/规格：PRPAK5x6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：86A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.0V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：89W 类型：N沟道
手机版：HSBA060N10
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监