商品型号： LND12N60
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.84g
商品编号： CY271168
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.2259
10+
￥6.19
30+
￥6.1541
100+
￥6.1182
500+
￥6.0788
1000+
￥6.0394
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 类型 | N沟道 |
LND12N60由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LND12N60价格参考￥6.225900。LONTEN(龙腾半导体)LND12N60封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W 类型：N沟道
手机版：LND12N60
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