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KNF6650A

商品型号: KNF6650A

制造厂商: KIA 半导体

封装规格: TO-220F

商品毛重: 2.83g

商品编号: CY651614

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 500V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道

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KNF6650A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNF6650A价格参考¥8.438400。KIA 半导体KNF6650A封装/规格:TO-220F,连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道

手机版:KNF6650A