商品型号： CEF08N6A
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.42g
商品编号： CY575397
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.25Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,7.5A
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￥8.3658
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500+
￥8.1842
1000+
￥8.0921
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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￥25.00
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
CEF08N6A由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEF08N6A价格参考￥8.544800。CET(华瑞)CEF08N6A封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.25Ω @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,7.5A
手机版：CEF08N6A
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