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LNE08R055W3

商品型号： LNE08R055W3

制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)

封装规格： TO-263-2L

商品毛重： 1.67g

商品编号： CY180480

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	85V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道

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LNE08R055W3由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNE08R055W3价格参考￥1.268900。LONTEN(龙腾半导体)LNE08R055W3封装/规格：TO-263-2L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道

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