商品型号： FIR2N65ALG
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.38g
商品编号： CY611044
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tj) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tj) 类型：N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
FIR2N65ALG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,FIR2N65ALG价格参考￥3.345800。3PEAKFIR2N65ALG封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tj) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W(Tj) 类型：N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
手机版：FIR2N65ALG
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