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IPA60R460CEXKSA1

商品型号： IPA60R460CEXKSA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-220(TO-220-3)

商品毛重： 2.64g

商品编号： CY691200

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 280uA 漏源导通电阻：460mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,9.1A,460mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 280uA 漏源导通电阻：460mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,9.1A,460mΩ@10V

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IPA60R460CEXKSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPA60R460CEXKSA1价格参考￥4.419000。Infineon(英飞凌)IPA60R460CEXKSA1封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.1A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：3.5V @ 280uA 漏源导通电阻：460mΩ @ 3.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,9.1A,460mΩ@10V

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