商品型号： DN2540N5-G
制造厂商： MICROCHIP(美国微芯)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 4.10g
商品编号： CY762132
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：25Ω @ 120mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：15W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥4.5494
10+
￥4.4587
30+
￥4.368
100+
￥4.2773
500+
￥4.1866
1000+
￥4.0933
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封装： RD91
￥38.00
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￥15.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 类型 | N沟道 |
DN2540N5-G由MICROCHIP(美国微芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,DN2540N5-G价格参考￥4.549400。MICROCHIP(美国微芯)DN2540N5-G封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA(Tj) 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：25Ω @ 120mA,0V 最大功率耗散（Ta=25°C）：15W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：DN2540N5-G
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