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PMPB27EP,115

商品型号: PMPB27EP,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: DFN2020MD-6

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY474709

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 6.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:P沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 6.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:P沟道

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PMPB27EP,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMPB27EP,115价格参考¥3.005200。Nexperia(安世)PMPB27EP,115封装/规格:DFN2020MD-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 6.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:P沟道

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