商品型号： CSD17306Q5A
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： VSONP-8
商品毛重： 0.17g
商品编号： CY585845
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.6V @ 250uA 漏源导通电阻：3.7mΩ @ 22A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD17306Q5A 30V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 SON5x6、4.2mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 24A | |
| 类型 | N沟道 |
CSD17306Q5A由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD17306Q5A价格参考￥2.129000。TI(德州仪器)CSD17306Q5A封装/规格：VSONP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.6V @ 250uA 漏源导通电阻：3.7mΩ @ 22A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD17306Q5A 30V、N 沟道 NexFET MOSFET?、单路 SON5x6、4.2mΩ
手机版：CSD17306Q5A
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