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DMS3016SSSA-13

商品型号： DMS3016SSSA-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.39g

商品编号： CY740350

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 9.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.54W 类型：N沟道 N沟道,30V,9.8A,13mΩ@10V,内带肖特基二极管

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 9.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.54W 类型：N沟道 N沟道,30V,9.8A,13mΩ@10V,内带肖特基二极管

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DMS3016SSSA-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMS3016SSSA-13价格参考￥3.066600。DIODES(美台)DMS3016SSSA-13封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 9.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.54W 类型：N沟道 N沟道,30V,9.8A,13mΩ@10V,内带肖特基二极管

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