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NTHD4502NT1G

商品型号： NTHD4502NT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： ChipFET

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY451578

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：640mW 类型：双N沟道双N 沟道,30V,3.9A,80mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：640mW 类型：双N沟道双N 沟道,30V,3.9A,80mΩ@10V

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NTHD4502NT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTHD4502NT1G价格参考￥1.447000。ON(安森美)NTHD4502NT1G封装/规格：ChipFET,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：640mW 类型：双N沟道双N 沟道,30V,3.9A,80mΩ@10V

手机版：NTHD4502NT1G