商品型号： IXTP160N10T
制造厂商： IXYS
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.76g
商品编号： CY970640
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：430W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥2.4857
10+
￥2.407
30+
￥2.3256
100+
￥2.2442
500+
￥2.1628
1000+
￥2.0814
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
IXTP160N10T由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTP160N10T价格参考￥2.485700。IXYSIXTP160N10T封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：430W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IXTP160N10T
20万现货SKU
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