收藏商品技术手册

LSGE085R041W3

商品型号： LSGE085R041W3

制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)

封装规格： TO-263

商品毛重： 1.59g

商品编号： CY660187

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W(Tc) 类型：N沟道

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货728(50起订)

数量: X ￥6.4138

总价: ￥6.41

包装:「圆盘 / 50」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥6.4138
10+

￥6.347
30+

￥6.2776
100+

￥6.2082
500+

￥6.1388
1000+

￥6.0694

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	85V
漏源导通电阻	-
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W(Tc) 类型：N沟道

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供LSGE085R041W3引脚图查看，LSGE085R041W3中文资料pdf下载，LSGE085R041W3使用说明书查看，LSGE085R041W3参数pdf下载, LSGE085R041W3工作原理，LSGE085R041W3驱动电路图，LSGE085R041W3数据手册，LSGE085R041W3如何测量, LSGE085R041W3接线图查看

LSGE085R041W3由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSGE085R041W3价格参考￥6.413800。LONTEN(龙腾半导体)LSGE085R041W3封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：208W(Tc) 类型：N沟道

手机版：LSGE085R041W3