商品型号： LSF65R180GT
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： TO-262
商品毛重： 2.31g
商品编号： CY620427
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.3078
10+
￥7.2583
30+
￥7.2088
100+
￥7.1566
500+
￥7.1044
1000+
￥7.0522
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
LSF65R180GT由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSF65R180GT价格参考￥7.307800。LONTEN(龙腾半导体)LSF65R180GT封装/规格：TO-262,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：LSF65R180GT
20万现货SKU
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