商品型号： HY0C20C
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： DFN6L(0203)
商品毛重： 0.07g
商品编号： CY153289
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：双N沟道(共漏)
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
HY0C20C由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY0C20C价格参考￥6.411000。HUAYI(华羿微)HY0C20C封装/规格：DFN6L(0203),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W(Tc) 类型：双N沟道(共漏)
手机版：HY0C20C
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