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CSD25484F4T

商品型号： CSD25484F4T

制造厂商： TI(德州仪器)

封装规格： Picostar-3

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY895582

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：94mΩ @ 500mA,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 CSD25484F4 CSD25484F4 20V P 通道 FemtoFET? MOSFET

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2.5A
最大功率耗散（Ta=25°C）	500mW
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：94mΩ @ 500mA,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 CSD25484F4 CSD25484F4 20V P 通道 FemtoFET? MOSFET

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CSD25484F4T由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD25484F4T价格参考￥7.319600。TI(德州仪器)CSD25484F4T封装/规格：Picostar-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：94mΩ @ 500mA,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道 CSD25484F4 CSD25484F4 20V P 通道 FemtoFET? MOSFET

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