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MEM2307XG

商品型号: MEM2307XG

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY246496

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 P沟道

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总   价: ¥15.22

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 P沟道

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MEM2307XG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,MEM2307XG价格参考¥3.043200。3PEAKMEM2307XG封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.1A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:88mΩ @ 4.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W 类型:P沟道 P沟道

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