商品型号： 80N06-251
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.65g
商品编号： CY108050
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 -
数量
价格
1+
￥1.0298
10+
￥1.0257
30+
￥1.0216
100+
￥1.0175
500+
￥1.0134
1000+
￥1.0067
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
80N06-251由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,80N06-251价格参考￥1.029800。GOFORD(谷峰)80N06-251封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 -
手机版：80N06-251
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