商品型号： FQU17P06TU
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-251-3
商品毛重： 0.64g
商品编号： CY207933
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：135mΩ @ 225mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥7.0867
10+
￥7.074
30+
￥7.0592
100+
￥7.0444
500+
￥7.0296
1000+
￥7.0148
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | P沟道 |
FQU17P06TU由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQU17P06TU价格参考￥7.086700。ON(安森美)FQU17P06TU封装/规格：TO-251-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：135mΩ @ 225mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
手机版：FQU17P06TU
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